SK海力士李康旭副社长成为首位荣获“IEEE

SK海力士31日宣布，海力获本公司PKG开发担当副社长李康旭于30日(美国时间)在美国科罗拉多州丹佛市举行的士李“电气与电子工程师协会-电子封装学会(IEEE-EPS)2024年度大奖”颁奖盛典上，荣获“电子制造技术奖(Electronics Manufacturing Technology Award)”，康旭成为首位获此殊荣的副社韩国人。

颁奖典礼由国际电气电子工程领域最权威机构——电气与电子工程师协会下属的长成电子封装学会主办，是为首位荣一年一度的业界盛事。作为学会年度大奖，海力获“电子制造技术奖”授予在电子及半导体封装领域取得卓越成就的士李从业者，自1996年宣布首位获奖者以来，康旭李康旭副社长成为首位获此殊荣的副社韩国人。

电子封装学会表示，长成李副社长在全球学术界和产业界从事3D封装1及集成电路领域的为首位荣研究开发工作超过20年，对推动用于AI的海力获存储器高带宽存储器(HBM)的研发及其制造技术的进步做出了重大贡献。

13D封装：一种将芯片垂直互联，士李使芯片之间能够直接进行数据传输的康旭封装方式，硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技术是其中有代表性技术。

作为半导体封装技术专家，李副社长于2000年在日本东北大学凭借其在“用于集成微系统的三维集成技术(Three-dimensional Integration Technology forIntegrated Micro-System)”领域的研究成果取得博士学位，随后成为美国伦斯勒理工学院的博士后研究员，并曾在日本东北大学出任教授。自2018年起，他在SK海力士担任晶圆级封装(WLP，Wafer Level Package)部门负责人，主导了HBM产品所需封装技术的开发工作。

特别值得关注的是，李副社长在2019年开发第三代HBM产品HBM2E的过程中，成功引入了批量回流模制底部填充(MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill)2的创新封装技术，帮助SK海力士在HBM市场上夺得了领先地位，为公司成为用于AI的存储器市场的全球领导者发挥了关键作用。

2批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：是一种在堆叠半导体芯片间隙注入液态保护材料，并通过融化芯片间的凸块使其相互连接的工艺。相比于在每层芯片堆叠时使用膜状材料的方法，该技术更高效且散热效果更好。

李副社长表示：“我很高兴获得这个殊荣，这代表着SK海力士在HBM领域取得的杰出成就得到了正式认可。”他还说：“随着AI时代的全面到来， 先进封装的作用也变得愈加重要，我们将一如既往地为推进技术创新竭尽全力。”

审核编辑：刘清

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